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　薄膜电阻具有相当强的均质结构，因此噪声较低。薄膜是通过在陶瓷基板上蒸发或者喷溅电阻材料(例如：氮化钽(TaN)、硅铬(SiCr)和镍铬(NiCr))沉积形成的。根据电阻值的不同，该层的厚度范围一般为10到500埃。薄膜中的噪声是由夹杂、表面缺陷和不均匀的沉积(当膜较薄时，更加显着)造成的。这就是电阻膜越厚，电阻值越低，从而噪声等级越低的原因所在。
　　在具有大金属电阻元件的电阻器中，可以观测到的噪声等级：箔电阻和绕线电阻。虽然线是由与箔材料类似的金属合金制成，但是电阻元件细线和比较粗的电阻器接线端子接合点处可能产生额外的噪声。在箔电阻器中，接线端子和电阻元件均为同一块箔的某些部分，因此避免了这个问题。然而，绕线电阻器的主要缺陷是其电感。电感可导致对信号峰值进行斩波以及严重依赖信号频率上的电阻器阻抗。此外，必须对下列与绕线电阻器的电抗相关的影响格外关注：

　　音频放大器可能在5 MHz至50 MHz以上自振荡，影响音频质量。
　　等效串联电感(ESL)会引起大相移，影响音频音调。
　　线圈可能起到拾取电磁干扰(EMI)的作用，超过通常电流噪声等级。
　　箔电阻器避免了这些问题，因为它们是通过化学蚀刻扁平的大金属箔构成的，因此，在相邻载流路径中的电流流动方向相反，消除了这些路径中的寄生电感。而且，路径到路径的电容为串联，具有将电阻器的寄生电容降至最小的效果。这些低电感/电容电阻器的特点是不可测量的峰值到峰值的信号失真。

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